Seit über 15 Jahren begleitet ein Engineering-Team der Marx Gruppe in Düren die Entwicklung einer revolutionären neuen Technik.
Hierbei werden die Grenzen der Physik überschritten und mehr Transistoren auf Siliziumscheiben zu pressen. Mittlerweile ist diese Technologie auf dem Höhepunkt des Mainstreams und die Marx Gruppe ein fester Bestandteil der EUV-Welt (Extrem Ultraviolettes Licht).
Die Halbleiterindustrie ist einer der innovativsten Industriezweige. Das kontinuierliche Bestreben nach Leistungssteigerung bei gleichzeitiger Senkung der Preise für Mikrochips (Moore'sches Gesetz) führt zu einem Gesamtumsatz von mehr als 400 Milliarden Dollar pro Jahr weltweit. Global Player für die Chipherstellung wie ASML, INTEL, USHIO, ... geben enorme Investitionen aus, um Strukturen von wenigen Nanometern zu produzieren. Wir sind speziell im Bereich der EUV-Quellen aufgewachsen und sind Experten für den gesamten Bereich der Peripherie & Steuerung wie Gasverteiler, Hochvakuum, Wasser- und Luftkühlung. Echtzeit-Prozesskontrolle und Schnittstellen zu Laser- und Messtechnik gehören ebenfalls zu unserer Kompetenz. Selbstverständlich entwickeln wir für Reinraumumgebungen und nach internationalen Standards wie NFPA, CE oder SEMI.
Mehr unter www.marxengineering.tech/de/industrien/halbleiter und auf unserer neuen Webseite www.marxengineering.tech/deUshio beansprucht mit TinPhoenix die Technologieführerschaft im EUV-Sektor
11.10.2019 | USHIO INC. (Hauptsitz: Tokio, Chief Executive Officer: Koji Naito) baut das Geschäft mit EUV-Lichtquellen weiter aus und bietet Industriekunden auf der ganzen Welt Entwicklung, Fertigung, Betrieb und Kundendienst aus einer Hand. Verwirklicht hat USHIO diese Ziele bereits durch seine engagierte Beteiligung an der Entwicklung von Verfahren für die Massenfertigung von Halbleiterbauelementen der nächsten Generation. Durch die Konzentration seiner vorhandenen Lichttechnologien auf EUV – während andere Hersteller noch auf andere Technologien setzten –, gelang es USHIO, diesen Geschäftsbereich neu zu definieren, um künftig unter der Marke TinPhoenix*1 das Geschäft mit EUV-Lichtquellen weltweit auszubauen.
USHIO bietet optische Produkte an, die für die Miniaturisierungsanforderungen der Halbleiterhersteller optimiert sind. Bereits seit 1977 bietet USHIO seine UV-Lampen der SH-Serie für den Einsatz in Lithografieanwendungen an. Seit 1988 stellen die Lithografiegeräte der UX-Serie für die Halbleiterfertigung einen wesentlichen Pfeiler des EUV-Angebots von USHIO dar. Im Juli dieses Jahres wurde USHIOs EUV-Lichtquelle erstmals von einem Prüfmittelhersteller für die Maskeninspektion im Rahmen der Massenfertigung mit EUV-Lithografie akzeptiert. Durch die Verbesserung der Leistung und Zuverlässigkeit seiner EUV-Lichtquellen mit lasergestütztem Entladungsplasma*2 hebt sich USHIO deutlich von anderen Anbietern auf dem Markt ab.
Viele japanische Hersteller liefern EUV-Ausrüstung und -Zubehör wie etwa beständige Materialien, Fotomasken oder Inspektionsgeräte, die für die Etablierung der EUV-Technologie in der Halbleiterindustrie unerlässlich sind. USHIO hat jedoch die EUV-Lichtquellentechnologie für die hochpräzise Maskeninspektion kontinuierlich weiterentwickelt, um durch die Realisierung der praktischen Halbleiterfertigung der nächsten Generation den Ausbau neuer sozialer Infrastrukturen wie 5G und IoT zu ermöglichen.
Ihren ersten Messeauftritt hatte die Technologie der Marke TinPhoenix auf der Konferenz PHOTOMASK TECHNOLOGY + EUV LITHOGRAPHY, die vom 15. bis 19. September 2019 im kalifornischen Monterey von der Internationalen Gesellschaft für Optik und Photonik SPIE ausgerichtet wurde.
*1 TinPhoenix
Der Markenname „TinPhoenix“ des EUV-Lichtquellengeschäftsbereichs von USHIO setzt sich zusammen aus „Tin“ (Zinn) und „Phoenix“, dem mythologischen Symbol der Unsterblichkeit.
Das Unendlichkeitssymbol steht für die beiden im Zinnbad rotierenden Elektroden der EUV-Lichtquelle, während sich im ewig lebenden und ewig strahlenden Phönix der Wunsch von USHIO ausdrückt, mit seinem EUV-Lichtquellengeschäft einen kontinuierlichen Beitrag zur Gesellschaft zu leisten.
*2 EUV-Lichtquelle mit lasergestütztem, durch Entladung erzeugtem Zinnplasma (Sn LDP)
Bei diesem Verfahren wird EUV-Licht erzeugt, indem das Zinn auf der Elektrode mit einem Lasertrigger verdampft wird und anschließend das verdampfte Zinn mit einem durch Entladung erzeugten Plasma angeregt wird. Dieses Verfahren zeichnet sich durch eine höhere Intensität und eine höhere Platzersparnis aus als das LPP/Sn-Verfahren, bei dem das EUV-Licht durch Anregung des plasmabildenden Zinns mit dem Laser erzeugt wird, und das DPP-Verfahren, bei dem das EUV-Licht durch Anregung des Xenons mit dem durch Entladung erzeugten Plasma erzeugt wird.
Quelle: https://www.ushio.eu/de/euv-tinphoenix/
